エピタキシャル・ウェーハは、研磨されたウェーハの上に数マイクロメートルの厚さの炭化ケイ素単結晶層を追加することで製造されます。厚さ、ドーピング（キャリア濃度）、欠陥密度の精密な制御は、半導体製造設備から高歩留まりのパワーデバイスを得るために必要です。炭化ケイ素エピタキシャル・ウェーハは、エピタキシャル成長（エピタキシャル成長と呼ばれる）によって作られた炭化ケイ素のウェーハで、半導体や光デバイスの製造に使用される。
SiCエピタキシャル・ウェーハは、シリコンをベースとする半導体デバイスに比べて、高電圧、大電流、高温で動作するという利点がある。SiCエピタキシャルウエハーのこれらのユニークな特徴は、デバイスの小型化につながり、パワーコントロールモジュールの小型化、軽量化を可能にする。
注：本レポートでは、炭化ケイ素エピタキシャルウェハーの生産能力を持つメーカーにのみ焦点を当て、インフィニオン、三菱電機などのSiCデバイスメーカーは除外している。
QYResearchが発行した最新市場調査レポート「炭化ケイ素エピタキシャルウェハーの世界市場レポート 2023-2029年」によると、炭化ケイ素エピタキシャルウェハーの世界市場規模は2029年までに2.14 十億米ドルに達し、予測期間中のCAGRは33.1％に達すると予測されています。
図. 炭化ケイ素エピタキシャルウェーハの世界市場規模（百万米ドル）、2018-2029年
QYResearchの調査に基づいているか、含まれています： 炭化ケイ素エピタキシャルウェハーの世界市場レポート 2023-2029.
図. 炭化ケイ素エピタキシャルウェハー世界トップ8社ランキングと市場シェア（随時更新）
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炭化ケイ素エピタキシャルウェハーの世界の主要メーカーには、Cree(Wolfspeed)、II-VI Advanced Materials(Ascatron)、昭和電工株式会社(NSSMC)、Epiworld intenational、SK Siltron(Dupont)などが含まれる。2021年、世界の上位4社の売上高シェアは約64.0%であった。
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