エピタキシャル成長は今日、シリコンベースのデバイスやIII-V族化合物半導体産業で使用されている。この需要は、マイクロLED、パワーデバイス、レーザーダイオードの用途によって増加し、強く牽引されると予想される。
半導体基板に関しては、シリコン基板に次いでGaN材料が主要なエピタキシー市場を占めており、その大部分は従来のLED用GaNデバイスが牽引している。
一方、SiC基板のようなワイドバンドギャップ材料は、パワーエレクトロニクス市場で機会を見出している。SiCの市場価格は高いが、このような基板は高電圧アプリケーションの強力な資産であるため、一部のMOSFETやダイオード製品の技術選択肢として考えられている。
SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の世界市場は、世界国内市場での使用に適した幅広い製品で構成されている。この市場を定量化し分析するために、我々の定義では以下の主要製品分野を含んでいる：
本レポートでは、特に人件費を除外し、メーカー販売価格での製品価値を測定しています。付加価値税、輸入関税、輸送費、人件費、その他の配送料は除外しています。商業用途を除外するよう最大限の努力を払ったが、市場規模全体には軽商用用途も含まれる可能性がある。
市場全体の数量が図示されている場合は、販売数として記載されている。本レポートの対象地域は世界であり、国内生産品と輸入品が含まれる。
QYResearchが発行した最新市場調査レポート「エピタキシャル成長装置の世界市場レポート 2023-2029年」によると、エピタキシャル成長装置の世界市場規模は2029年までに1.43十億米ドルに達し、予測期間中の年平均成長率は5.6%と予測されています。
図. エピタキシャル成長装置の世界市場規模（百万米ドル）、2018-2029年
QYResearchの調査に基づく、または含まれています： エピタキシャル成長装置の世界市場レポート 2023-2029.
図. 世界のエピタキシャル成長装置トップ9社ランキングと市場シェア（随時更新）
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エピタキシャル成長装置の世界の主要メーカーには、Aixtron, ASMI, Applied Material, NuFlare, Tokyo Electron Limitedなどが含まれる。2021年、世界の上位4社の売上高シェアは約60.0%であった。
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